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SUD50P10-43L
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
40
T J = 150 °C
0.0 8
0.07
T A = 125 °C
0.06
10
0.05
T J = 25 °C
0.04
0.03
T A = 25 °C
1
0.02
0.0
0.2
0.4
0.6
0. 8
1.0
1.2
2
3
4
5
6
7
8
9
10
2.4
2.2
2.0
V SD - So u rce-to-Drain V oltage ( V )
Source-Drain Diode Forward Voltage
I D = 250 μA
35
30
25
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
1. 8
20
1.6
15
1.4
1.2
1.0
0. 8
10
5
0
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
175
0.01
0.1
1
10
100
1000
T J - Temperat u re (°C)
Threshold Voltage
100
Limited b y R DS(on) *
10
1
0.1
Time (s)
Single Pulse Power, Junction-to-Ambient
100 μs
1 ms
10 ms
100 ms
1s
10 s
DC
0.01
T A = 25 °C
Single P u lse
BVDSS Limited
0.001
0.1
1
10
100
1000
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
* V GS > minim u m V GS at w hich R DS(on) is specified
Safe Operating Area, Junction-to-Ambient
www.vishay.com
4
Document Number: 73444
S09-1398-Rev. C, 20-Jul-09
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